装备着最先进的测试模式。设置了施加脉冲宽度100ns/200ns的正常测试和将施加幅度缩小到1ns的VFTTLP（Very Fast TLP）的测试模式。
对ESD耐性的HBM/CDM测试的验证有效。可以通过标准装备的示波器确认设备引脚的入射波和来自设备自旋的反射波。
此数据将被保存，并在专用监视器中显示。用专用监视器可以跟踪入射波/反射波的合计值、坐标回特性、Vf/Im测量的泄露测量值等。
保存的示波器数据允许高自由度运算。例如，对于改变了工序的晶体管的ON电压和保护电路中流通的最大电流值，可以通过重叠跟踪来确认差分。
此外，还可与半自动程序等连接，使TLP测试自动化。
因为可以进行Wafer上施加的销和芯片之间的自动移位、自动测量，所以测试效率大大提高。